题  目：化学气相沉积石墨烯单晶和粉体

报告人：于庆凯教授

主持人：袁清红研究员

时  间：2020年10月15日上午10点

地  点：闵行光学大楼A408会议室

报告人简介：

于庆凯，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。长期从事碳基材料生长工作，包括CVD方法生长石墨烯薄膜，石墨烯粉体，三维石墨烯结构，铜碳复合材料等。在Nature Materials, Advanced Materials等国际期刊发表学术论文60余篇，获得美国发明专利两件。

报告内容简介：

化学气相沉积（CVD）是低维材料生长的重要手段。其中，在过去的十年中，CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。然而，如何使用CVD生长石墨烯大单晶仍有挑战。另外如何能够利用CVD生长石墨烯具有低缺陷密度的优势，可以大规模生长石墨烯粉体也是尚未解决的问题。我们的工作在石墨烯大单晶和粉体两方面开展工作，拓展CVD方法在石墨烯生长领域的可能性。我们发现铜镍合金镍元素的存在明显提高石墨烯的生长速度，并可以降低形核密度，通过局部供碳技术得到石墨烯大单晶。另外，我们通过鼓泡法在熔融铜中通入天然气，在铜与气氛界面生长石墨烯，并由气泡带走，以粉体形式为最终产物。由于此方法为连续生长法，现阶段实现在30升的容器中，日产三公斤石墨烯。此石墨烯粉体显示出良好的导电性。