题  目：基于InAs量子点的量子器件

报告人：刘 峰研究员

主持人：冯东海研究员

时  间：2020年10月29日14:00

地  点：闵行校区光学大楼B225会议室

报告人简介：

    刘峰研究员2013年于德国多特蒙德工业大学获得博士学位。2013-2019年先后在谢菲尔德大学低维结构与器件小组和德国亚琛工业大学量子技术小组从事博士后研究。并加入浙江大学信电学院。其研究兴趣包括一、基于半导体量子点的量子器件及半导体集成量子光学回路。二、基于门控型量子点的半导体固态量子计算机和量子网络。三、可发光二维材料等。其代表工作（一作及唯一通信作者）包括Nature Nanotechnology, Physical Review Letters, Physical Review B等。

报告内容简介：

可在芯片上产生单个光子的片上单光子源是实现集成量子光学技术的关键器件之一。半导体量子点是一种近乎理想的单光子源，然而当集成到芯片上之后，其发射出的光子的不可区分度会由于靠近量子点的表面电荷的扰动急剧下降。在本工作中，我们用脉冲共振激发的方式在一个集成了量子点、光子晶体微腔和光子晶体波导的系统中测得了被Purcell效应加强的超短的量子点辐射寿命（22.7 ps，对应于高达42的Purcell因子）[1]。强Purcell效应既有效遏制了由器件表面电荷和固体晶格振动造成的电子-空穴对的能量偏移和量子退相干，从而将光子不可区分度提升至93.9%，又使单光子源的功耗降低了 97%，并提高了光子的发射速率（理论最高值 10 GHz）。最终，我们结合脉冲共振激发和电场调控，展示了一个可按需发射光子的高辐射速率且波长可调的片上单光子源。此外，在该报告中，我还将介绍我们基于InAs量子点的超快单光子开关方面的工作。

参考文献:

[1] F. Liu et al, Nature Nanotechnology 13, 835 (2018).